| 型号：IRFHM830TR2PBF | 类别：FET - 单 | 制造商：International Rectifier |
| 封装：8-VQFN 裸露焊盘 | 描述：MOSFET N-CH 30V 21A PQFN | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN |
| 系列 | HEXFET® |
| 制造商 | International Rectifier |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 21A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 3.8 毫欧 @ 20A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 2.35V @ 50µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 31nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 2155pF @ 25V |
| 功率_最大 | 2.7W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-VQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装 | PQFN（3x3） |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
| 深圳市正信鑫科技有限公司 | 小邹0755-22655674/15099917285 |
| 深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
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