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电子元器件详细资料 » IC[20355] » IRFHM830TR2PBF
型号:IRFHM830TR2PBF类别:FET - 单制造商:International Rectifier
封装:8-VQFN 裸露焊盘描述:MOSFET N-CH 30V 21A PQFN

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
系列HEXFET®
制造商International Rectifier
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C21A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C3.8 毫欧 @ 20A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.35V @ 50µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs31nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds2155pF @ 25V
功率_最大2.7W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-VQFN 裸露焊盘
供应商设备封装PQFN(3x3)
包装剪切带 (CT)

供应商

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